Sensor de presion a tmos

La presente invención se refiere a un sensor de presión que tiene un diafragma de silicio monocristalino caracterizado porque utiliza un arreglo de cuatro transistores de tipo metal-óxido-semiconductor (MOS) como elementos sensores y están colocados uno en cada borde del diafragma dentro del mismo, y cuatro transistores adicionales colocados cada uno junto a los anteriores en el bastidor, fuera del diafragma donde no se ven afectados por la deformación y utlizados para la temperatura.