La presente invención se refiere a mejoras en un circuito de protección para un circuito integrado semiconductor, adaptado para su uso en un circuito que incluye un transistor, teniendo un emisor que se encuentra conectado con un extremo de una fuente de energía de corriente directa, mientras que su colector se encuentra conectado con el otro extremo de la fuente de energía de corriente directa a través de una carga que consiste de un circuito integrado semiconductor y cuya base se encuentra conectada a un resistor, entre el emisor y la base del transistor, caracterizado en que un diodo está conectado entre el otro extremo de la fuente de energía de corriente directa y la base del transistor, y la polaridad de dicho diodo está determinada de tal modo que el diodo quede interrumpido para la polaridad normal de la fuente de energía de corriente directa, pero no interrumpido cuando la fuente de energía de corriente directa esta conectada con su polaridad invertida, con objeto de evitar que la corriente fluya hacia la carga en una dirección inversa.
Palabras clave: fuente de energ corriente fluya corriente directa
Nombre del Agente: Sin información;
Titular: HITACHI, LTD.
| Deposito en: | ![]() |
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| Solicitud: | 0007897 |
| Presentacion: | 13/04/1976 |
| Tipo de Documento: | Certificado de Invención |
| Concesión: | 29/10/1981 |